Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 700 V, 49 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD65R190C7ATMA1
- RS品番:
- 220-7409
- メーカー型番:
- IPD65R190C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 1200 - 1595 | ￥318.60 | ￥1,593 |
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- RS品番:
- 220-7409
- メーカー型番:
- IPD65R190C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 49A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | CoolMOS C7 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大許容損失Pd | 72mW | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 49A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ CoolMOS C7 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
最大許容損失Pd 72mW | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
高さ 2.41mm | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.22 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、世界最低のRDS（on）/パッケージを提供し、低スイッチング損失により全負荷範囲で効率改善を実現する、革新的な製品です。
650 V 電圧
画期的なクラス最高の R DS （ on ） / パッケージ
出力容量損失エネルギEOSSの低減
ゲート電荷量 Qg の低減
小型パッケージ化、部品点数削減による省スペース化
スーパージャンクション技術で 12 年の製造経験
安全性向上、SMPSとソーラーインバータの両方のアプリケーションに適合
最小のパッケージ面積あたり導通損失
低スイッチング損失
軽負荷効率の向上
電力密度の向上
優れた Cool MOS ™品質
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