Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD80R900P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
215-2518
メーカー型番:
IPD80R900P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

800V CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

45W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 800V Cool MOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格 / 性能比の市場ニーズに完全に対応主にアダプタ及び充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。この新製品ファミリは、前モデルと比べて効率が最大 0.6 % 、 MOSFET 温度が 2 → 8 ° C と低くなっています。また、通常のフライバック用途でテストされた競合部品にも対応しています。また、スイッチング損失が低く、 DPAK RDS ( on )製品の性能が優れているため、電力密度を高めた設計が可能になります。

クラス 2 ( HBM )までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵

クラス最高の品質と信頼性

完全に最適化されたポートフォリオ

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