1 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 6.6 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 215-2582
- メーカー型番:
- IRF7311TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥103.592 | ￥414,368 |
| 8000 - 36000 | ￥101.519 | ￥406,076 |
| 40000 - 56000 | ￥99.49 | ￥397,960 |
| 60000 - 76000 | ￥97.493 | ￥389,972 |
| 80000 + | ￥95.551 | ￥382,204 |
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- RS品番:
- 215-2582
- メーカー型番:
- IRF7311TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 29mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.72V | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 29mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.72V | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。この改善により、複数のデバイスを 1 つの用途で使用できるようになり、基板スペースが大幅に削減されます。パッケージは気相用に設計され、赤外線はウェーブはんだ付けに対応しています。
International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。この改善により、複数のデバイスを 1 つの用途で使用できるようになり、基板スペースが大幅に削減されます。パッケージは気相用に設計され、赤外線はウェーブはんだ付けに対応しています。
Generation V テクノロジー
超低オン抵抗
表面実装
アバランシェ定格一杯です
デュアル N チャンネル MOSFET です
Generation V テクノロジー
超低オン抵抗
表面実装
アバランシェ定格一杯です
デュアル N チャンネル MOSFET です
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