Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR540ZTRPBF

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梱包形態
RS品番:
215-2599
メーカー型番:
IRFR540ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

91W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

59nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon のこの HEXFET ® パワー MOSFET は、最新の 35 A の ID 処理技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

鉛フリー及びハロゲンフリー

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