Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
215-2600
メーカー型番:
IRFR5410TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

205mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.6V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

66W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。この D パックは、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

無鉛

アバランシェ定格一杯です

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