Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IRFR5410TRPBF

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RS品番:
827-4079
メーカー型番:
IRFR5410TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

205mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.6V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

66W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

58nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

2.39mm

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

Distrelec Product Id

304-44-465

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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