Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 37 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB60R080P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2504
メーカー型番:
IPB60R080P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

37A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

129W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

幅

9.45 mm

高さ

4.57mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高効率を実現しています。

600 V P7 により、優れた FOM R DS （ on ） xE oss DS （ on ） XQ G が実現

ESD 耐性：≥ 2 kV （ HBM クラス 2 ）

内蔵ゲート抵抗器 R G

堅牢なボディのダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方の部品を用意しています

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