Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9 A, 360 mΩ, 9.4 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

20個小計, 20パック:*

¥3,170

(税抜)

¥3,487

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,880 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100¥158.50¥3,170
120 - 1180¥141.60¥2,832
1200 - 1580¥126.15¥2,523
1600 - 1980¥109.45¥2,189
2000 +¥92.80¥1,856

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
217-2524
Distrelec 品番:
304-39-407
メーカー型番:
IPD60R360P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

900mV

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.4nC

最大許容損失Pd

41W

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22mm

自動車規格

なし

Infineon IPDシリーズMOSFET、ドレインソース電圧600V、最大消費電力41W - IPD60R360P7SAUMA1


このMOSFETは、高ドレイン・ソース電圧と中程度の電流能力が求められるスイッチングおよび電力制御用途向けに設計された高電圧Nチャンネル強化装置です。広い温度範囲で動作し、コンパクトな電源アセンブリに適した表面実装パッケージで提供されます。

特長:


• 600V ドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 9Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流をサポート
• 360mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 9.4nCのゲート充電により、スイッチングドライブの要件を低減
• 41Wの消費電力により、大幅な熱負荷を実現
• 20Vゲート‐ソースリミットにより、幅広いゲート‐ドライブ範囲を実現

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• モータードライブ段階のスイッチエレメントに使用
• 産業用電源スイッチング作業に最適
• ハーフブリッジおよびクランプ回路に使用可能
• コンパクトなSMD設計のディスクリート電源アセンブリと併用

このデバイスは、どのような熱範囲に耐えられますか?


-40°C~150°Cで動作し、過酷な熱環境に対応します。

どのようなパッケージタイプと取り付けスタイルがありますか?


このデバイスは、プリント基板の電源レイアウトに適合する表面実装構成のTO‐252パッケージで提供されます。

順方向電圧は導通動作にどのように影響しますか?


順方向電圧は0.9Vで、順方向電流流におけるローサイド伝導降下に影響を与えます。

どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?


ゲート‐ソース電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを防止します。

外部接続数はどのくらいですか?


このコンポーネントは、ゲート、ドレイン、ソース接続用の3つのピンを備えています。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。