Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 12 A, 280 mΩ, 18 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
218-3051
メーカー型番:
IPD60R280P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

600V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

53W

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon 600V CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流12A - IPD60R280P7SAUMA1


このMOSFETは、堅牢な電圧処理と高い動作温度が必要な表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。スイッチングおよび電力変換作業に適したエンハンスメントモードトランジスタとして機能し、産業およびパワーエレクトロニクス環境に代表される制御されたゲート駆動伝導と連続ドレイン電流のサポートを実現します。

特長:


• 最大ドレイン・ソース電圧600 Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 12 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 最大RDS(on) 280mΩにより、負荷時の伝導損失を低減
• 53Wの最大消費電力により、動作中の熱マージンを維持
• VGSでの18 nC標準ゲート電荷により、高速スイッチングトランジションを実現
• -40°C~150°Cの動作範囲により、高温での使用が可能

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• スイッチモード電源プライマリスイッチに最適
• 600 V定格デバイスを必要とするモータードライブに使用
• 産業用電源スイッチングモジュールに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適

安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、ゲート過負荷を避けるため、ゲートソース電圧を20 Vを超えてはなりません。

パッケージ形式は、取り付けと熱経路にどのように影響しますか?


TO-252表面実装パッケージは、コンパクトなフットプリントと、基板ヒートシンク配置用のタブを通じて直接熱経路を実現します。

どのようなタイプの導通モードを採用し、その意味は何ですか?


Nチャンネルデバイスとしてエンハンスメントモードで動作するため、ソースに対して正のゲートドライブが必要です。

ドライブ設計に関連する標準的なゲート充電動作はどのようなものですか?


VGSでの18 nCの標準ゲート電荷は、ゲートドライバがスイッチングイベントごとにその電荷を供給する必要があることを示し、ドライバサイズとスイッチング損失に影響を与えます。

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