Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R280P7SAUMA1

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梱包形態
RS品番:
218-3051
メーカー型番:
IPD60R280P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

600V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

280mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

53W

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 シリーズ N チャンネルパワー MOSFET です。スイッチング損失と導電損失が極めて低く、スイッチング用途の効率性とコンパクト性をさらに高め、発熱を抑えています。

スイッチング損失と導電損失を大幅に低減

ハードスイッチング及びソフトスイッチングに最適です

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