Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R600P7SAUMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2530
メーカー型番:
IPD60R600P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

41W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高効率を実現しています。

600 V P7 は、優れた FOM R DS （ on ） xE oss DS （ on ） XQ GESD ≥ 2 kV に対応しています （ HBM クラス 2 ）

内蔵ゲート抵抗器 R G

堅牢なボディのダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方の部品を用意しています

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