Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥151,470.00

(税抜)

￥166,617.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥60.588￥151,470
5000 - 22500￥59.684￥149,210
25000 - 35000￥58.797￥146,993
37500 - 47500￥57.90￥144,750
50000 +￥57.012￥142,530

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
217-2527
メーカー型番:
IPD60R600P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

41W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率が求められるニーズと、設計プロセスにおける使いやすさのバランスを維持しています。CoolMOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の R onxA と本質的に低いゲート電荷（ Q G ）により、高効率を実現しています。

600 V P7 により、優れた FOM R DS （ on ） xE oss DS （ on ） XQ G が実現

ESD 耐性：≥ 2 kV （ HBM クラス 2 ）

内蔵ゲート抵抗器 R G

堅牢なボディのダイオード

スルーホール及び表面実装パッケージの幅広いポートフォリオ

標準グレードと産業用グレードの両方の部品を用意しています

関連ページ