Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 12.5 A, 360 mΩ, 16.4 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 215-2526
- メーカー型番:
- IPN70R360P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示20個小計, 20パック：*
￥3,591
(税抜)
￥3,950
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,160 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 120 | ￥179.55 | ￥3,591 |
| 140 - 1380 | ￥162.25 | ￥3,245 |
| 1400 - 1780 | ￥143.35 | ￥2,867 |
| 1800 - 2380 | ￥126.00 | ￥2,520 |
| 2400 + | ￥108.65 | ￥2,173 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 215-2526
- メーカー型番:
- IPN70R360P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 7.2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 12.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 7.2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン 700V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 700V、連続ドレイン電流 12.5A - IPN70R360P7SATMA1
このMOSFETは、表面実装の電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、堅牢な電圧処理、低順方向伝導ドロップ、制御されたゲート駆動を必要とする回路に適しています。このコンポーネントは、基板実装電力段向けのコンパクトなSOT-223パッケージで提供されます。
特長：
• ドレイン定格電圧 700V により、高電圧スイッチングに対応
• 360mΩ Rds(on) により、負荷サイクル中の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 12.5A により、中程度の電力処理に対応
• 16.4nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• 0.9V の順方向電圧により、導通時の電圧降下が低減されます。
• 最大 7.2mW の許容電力により、コンパクトなレイアウトにおける熱負荷を抑制
• 360mΩ Rds(on) により、負荷サイクル中の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 12.5A により、中程度の電力処理に対応
• 16.4nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• 0.9V の順方向電圧により、導通時の電圧降下が低減されます。
• 最大 7.2mW の許容電力により、コンパクトなレイアウトにおける熱負荷を抑制
用途
• オフラインスイッチング電源に最適
• 高電圧一次側コンバータに最適
• 共振型またはハードスイッチングトポロジで使用されます。
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 中電流ブーストおよびフライバック段に使用
• 高電圧一次側コンバータに最適
• 共振型またはハードスイッチングトポロジで使用されます。
• 産業機器の補助電源レールに使用可能
• 中電流ブーストおよびフライバック段に使用
安全な動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲート酸化膜へのストレスを防ぐため、ゲート-ソース間電圧が ±20V を超えないようにデバイスを駆動する必要があります。
このデバイスは、極端な温度条件下でどのように動作しますか?
-55°C〜150°C の範囲で動作するように規定されており、コールドスタート時や高温環境下での使用が可能です（ただし、高温時には Rds(on) の増大が見込まれます）。
熱管理の観点から、どのような取り付け上の考慮事項がありますか？
表面実装 SOT-223 パッケージとして、基板上の十分な銅面積と熱バイアスにより、最大 7.2W の電力制限を遮断することを推奨します。
ゲート電荷によって、必要な駆動条件はどのように変わりますか？
標準 16.4nC のゲート電荷は、ドライブ電流とスイッチング損失を定義し、必要なスイッチング速度に対応するゲートドライバとスナバーの選択に役立ちます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 700 V 360 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 600 V 360 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 450 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 2 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 600 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 750 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-223
- Infineon MOSFET 700 V 1.4 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-223