Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 215-2527
- メーカー型番:
- IPN70R900P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 215-2527
- メーカー型番:
- IPN70R900P7SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 6.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.8nC | ||
最大許容損失Pd 6.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 700V Cool MOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、携帯電話の充電器やノートパソコン用アダプタなど、低消費電力 SMPS 市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べて基本的な性能向上を実現しています。このテクノロジーは最高レベルの効率基準を満たし、高電力密度をサポートしているため、非常にスリムな設計に移行できます。最新の CoolMOS ™ P7 は、充電器、アダプタ、照明、テレビなどの消費者市場におけるコスト重視の用途に合わせて最適化されたプラットフォームです
超低 FOMRDS （ on ） * Qg 、 RDS （ on ） * eOSS による超低損失
優れた温度特性
ESD 保護ダイオードを内蔵しています
低スイッチング損失（ eOSS ）
関連ページ
- Infineon MOSFET 6 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223, IPN70R900P7SATMA1
- Infineon MOSFET 10 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 6.5 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 12.5 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 4 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 3 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 9.4 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223
- Infineon MOSFET 10 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージSOT-223, IPN70R450P7SATMA1