Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 40 V, 77 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
220-7493
メーカー型番:
IRFR3504ZTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

77A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

90W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

6.22mm

幅

2.39 mm

自動車規格

なし

Infineon Strong IRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)と高電流に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。

幅広い販売パートナーから入手できるように最適化

JEDEC 規格に準拠した製品認定

業界標準の表面実装パッケージ

100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化されたシリコン <

販売パートナーから幅広く入手可能

業界標準の認定レベル

標準的なピン配列により、簡単に交換可能

低周波アプリケーションで高性能を発揮

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