Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 119 A, 表面パッケージTO-252

RS品番:: 217-2623
メーカー型番:: IRFR4104TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 119 A, 表面パッケージTO-252

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ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	購入単位毎合計*
2000 - 2000	￥80.586	￥161,172
4000 - 18000	￥79.263	￥158,526
20000 - 28000	￥77.94	￥155,880
30000 - 38000	￥76.617	￥153,234
40000 +	￥75.294	￥150,588

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RS品番:: 217-2623
メーカー型番:: IRFR4104TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	119A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5.5mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	89nC
	最大許容損失Pd	140W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	高さ	6.22mm
	長さ	6.73mm
	規格 / 承認	No
	幅	2.39 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 119A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.5mΩ
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 89nC
	最大許容損失Pd 140W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	高さ 6.22mm
	長さ 6.73mm
	規格 / 承認 No
	幅 2.39 mm
	自動車規格なし

Datasheet - IRFR4104TRPBF

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低オン抵抗： 1

動作温度： 75 ° C

高速スイッチング R

反復アバランシェは Tjmax L まで許容

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