Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 119 A, 5.5 mΩ, 89 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252

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RS品番:
217-2623
メーカー型番:
IRFR4104TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

119A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.5mΩ

最大許容損失Pd

140W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

89nC

動作温度 Max

175°C

幅

2.39mm

高さ

6.22mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低オン抵抗： 1

動作温度： 75 ° C

高速スイッチング R

反復アバランシェは Tjmax L まで許容

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