Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 110 A, 表面 パッケージTO-252
- RS品番:
- 257-5550
- メーカー型番:
- IRFR7540TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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¥167,310.00
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ¥83.655 | ¥167,310 |
| 4000 - 18000 | ¥83.099 | ¥166,198 |
| 20000 - 28000 | ¥82.543 | ¥165,086 |
| 30000 - 38000 | ¥81.977 | ¥163,954 |
| 40000 + | ¥81.43 | ¥162,860 |
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- RS品番:
- 257-5550
- メーカー型番:
- IRFR7540TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.8mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 86nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETは、ゲート、アバランシェ及びダイナミックdV/dtの堅牢性を向上させ、静電容量及びアバランシェSOAを完全に特性化しています。
強化されたボディダイオードdV/dt及びdI/dt機能
鉛フリー、RoHS準拠
