Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, 31 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 217-2643
- メーカー型番:
- SPD04N80C3ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥127.68 | ￥319,200 |
| 5000 - 22500 | ￥127.404 | ￥318,510 |
| 25000 - 35000 | ￥125.828 | ￥314,570 |
| 37500 - 47500 | ￥124.262 | ￥310,655 |
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- RS品番:
- 217-2643
- メーカー型番:
- SPD04N80C3ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | CoolMOS C3 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.3Ω | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 31nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 2.41mm | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, RoHS | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ CoolMOS C3 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.3Ω | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 2.41mm | ||
規格 / 承認 JEDEC, RoHS | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 6.22mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 800V CoolMOS ™ C3 は、 2001 年に市場に投入された Infineon の CoolMOS ™シリーズの第 3 シリーズです。C3 は、製品ラインの「役馬」です。。
特有のオン状態の抵抗が低い（ RDS （ on ） * A ）
出力静電容量（ eOSS ） @ 400 V の超低エネルギー貯蔵です
低ゲート電荷（ Qg ）
現場で実証済みの CoolMOS ™品質
CoolMOS™は1998年から使用されているInfineonの製造技術
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