Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 50 A, 12 mΩ, 30 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 218-3044
- メーカー型番:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 25000 - 60000 | ￥85.14 | ￥212,850 |
| 62500 - 122500 | ￥83.588 | ￥208,970 |
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- RS品番:
- 218-3044
- メーカー型番:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.73mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.22mm | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流50A - IPD50N06S4L12ATMA2
このMOSFETは、過酷な環境での高電流スイッチング向けに設計された60V Nチャンネル強化デバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、効率的な伝導とコンパクトなパッケージングが求められる表面実装アセンブリ向けに設計されています。
特長：
• 12mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 最大50Aの連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• 50Wの消費電力能力により、熱ストレスに対応
• 30nCのゲート充電により、より高速なスイッチングトランジションを実現
• 16Vゲート定格により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• AEC-Q101認証により、自動車用途に適合
• 最大50Aの連続ドレイン電流により、高負荷に対応
• 50Wの消費電力能力により、熱ストレスに対応
• 30nCのゲート充電により、より高速なスイッチングトランジションを実現
• 16Vゲート定格により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• AEC-Q101認証により、自動車用途に適合
用途
• 自動車用電子機器のDC-DCコンバータに最適
• トラクション補助システムの電源スイッチングに最適
• 高電流モータドライバステージに使用
• バッテリー管理および保護回路に使用可能
• コンパクトボードの表面実装電源モジュールに最適
• トラクション補助システムの電源スイッチングに最適
• 高電流モータドライバステージに使用
• バッテリー管理および保護回路に使用可能
• コンパクトボードの表面実装電源モジュールに最適
このデバイスのドレインおよびゲートの電圧制限は何ですか?
ドレイン対ソースは最大60 V、ゲート対ソースは16 Vの定格電圧に耐えることができます。
このデバイスは、極端な周囲温度にどのように対応しますか?
さまざまな熱環境で-55°C～175°Cまで動作するように設計されています。
プリント基板の組み立てには、どのようなパッケージと取り付け方式を採用していますか?
表面実装用に設計されたTO-252パッケージで提供されます。
どのようなチャンネルタイプとモードが導通動作を決定しますか?
エンハンスメントモードで構成されたNチャンネル構造を使用し、制御されたスイッチングを実現します。
レイアウトの熱設計に影響する物理的なフットプリントの考慮事項はどのようなものがありますか?
高さ2.41 mm、長さ6.73 mm、幅6.22 mmのコンパクトなパッケージ寸法により、高密度の基板配置を実現します。
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