Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 4 A, 2 mΩ, 10 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
219-5995
メーカー型番:
IPD95R2K0P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

37W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS P7シリーズMOSFET、950Vドレインソース電圧、4A連続ドレイン電流 - IPD95R2K0P7ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおけるスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネル強化トランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、コンパクトで熱性能の高いスイッチングデバイスが必要な表面実装用途向けに設計されています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 950V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 2mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を最小限に抑制
• 10nCのゲート充電により、駆動エネルギーとスイッチング関連損失を低減
• 4Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流を確実にサポート
• 37Wの最大消費電力により、大幅な熱ヘッドルームを実現
• 20Vゲートソース機能により、一般的なゲート駆動電圧に対応

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• スイッチモード電源プライマリスイッチに最適
• 産業用モータドライブフロントエンドと併用
• 再生可能システムのエネルギー変換に使用可能
• コンパクトな表面実装電源モジュールに最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、幅広い熱エンブレムでの使用が可能です。

基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか?


はんだ基板実装に適したTO-252表面実装パッケージに収められています。

導通時にはどのような順方向伝導特性がありますか?


このデバイスは、適切な条件下での導通時に0.9Vの順方向電圧を発揮します。

回路統合にはどのくらいの電気接続がありますか?


標準MOSFET端子接続用の3ピンを備えています。

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