Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD95R450P7ATMA1
- RS品番:
- 217-2536
- メーカー型番:
- IPD95R450P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 217-2536
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- IPD95R450P7ATMA1
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- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 14A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 950V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 450mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 104W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 35nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 14A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 104W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 35nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.41mm | ||
幅 6.22 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon の最新の 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、 950V スーパージャンクション技術の新しいベンチマークを確立し、最高クラスの性能と ART の使いやすさを兼ね備えています。これは、 Infineon が 18 年以上に渡り、スーパージャンクション技術の革新を開拓したことによるものです。
Infineon の最新の 950V CoolMOS ™ P7 シリーズは、 950V スーパージャンクション技術の新しいベンチマークを確立し、最高クラスの性能と ART の使いやすさを兼ね備えています。これは、 Infineon が 18 年以上に渡り、スーパージャンクション技術の革新を開拓したことによるものです。
クラス最高の FOM RDS ( on ) eOSS; Qg 、 CISS 、 CossBest-inclass DPAK RDS ( on ) 450 m Ω の削減
± 0.5 V の 3 V かつ最小の VGS ( th )変動のベストインクラス VGS ( th
クラス 2 ( HBM )までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵
クラス最高の品質と信頼性
クラス最高の FOM RDS ( on ) eOSS; Qg 、 CISS 、 CossBest-inclass DPAK RDS ( on ) 450 m Ω の削減
± 0.5 V の 3 V かつ最小の VGS ( th )変動のベストインクラス VGS ( th
クラス 2 ( HBM )までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵
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