Infineon MOSFET, Nチャンネル, 950 V, 6 A, 1.2 Ω, 15 nC, 3ピン, パッケージ:PG-TO252-3

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RS品番:
273-2786
メーカー型番:
IPD95R1K2P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

52W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、消費電力52W、ドレイン・ソース間電圧950V - IPD95R1K2P7ATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい温度範囲での表面実装電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。電圧耐性と中程度の連続電流のバランスを必要とする用途に適したエンハンスメントモードデバイスとして動作します。このコンポーネントはPG-TO252-3パッケージで提供され、RoHS環境制限に適合しています。

特長および利点:


• 950Vドレイン・ソース機能により、高電圧スイッチングを実現
• 6Aの連続ドレイン電流により、中電力負荷をサポート
• コンバータの熱処理用の52W消費電力
• 1.2Ω RDS(on)により、低周波数での導通損失を最小限に抑制
• 15nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングトランジションを実現

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業用電源の低周波スイッチングに最適
• コンパクトな電源デバイスを必要とする表面実装ボードと併用
• -55°C~150°C で動作するシステムに使用可能
• 電力管理におけるディスクリートスイッチング段階に使用

正しい動作のために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲートは、電気的過負荷を防止するため、ソースに対して±20Vを超えてはなりません。

このデバイスは極端な温度条件下でどのような性能を発揮しますか?


-55°C~150°Cまでの定格動作を維持し、過酷な環境でも幅広い熱範囲を実現します。

どのようなパッケージと実装方式を採用していますか?


表面実装用のPG-TO252-3パッケージで提供され、コンパクトなプリント基板統合を実現します。

このコンポーネントは、自動車規格に適合しますか?


自動車グレード規格に適合していることは指定されておらず、適合しているとは考えないでください。

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