Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IPT60R150G7XTMA1

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梱包形態
RS品番:
219-6013
メーカー型番:
IPT60R150G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

HSOF

シリーズ

C7 GOLD

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

106W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

高さ

2.4mm

規格 / 承認

No

幅

10.58 mm

長さ

10.1mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS C7 Gold スーパージャンクション MOSFET シリーズ（ G7 ）は、 600 V CoolMOS ™ C7 Gold テクノロジーの向上によるメリットを兼ね備えています。4ピンケルビンソース機能、およびTO-Leadless （ TOLL ）パッケージの優れた熱特性により、最大 3 kW の力率補正（ PFC ）やハイエンド LLC の共振回路など、大電流ハードスイッチングトポロジに対する SMD ソリューションが可能になります。

クラス最高のFOM R DS(on)xE oss と R DS(on)xQ G を実現

最小のフットプリントでクラス最高のR DS(on)を実現

4 ピンケルビンソース構成と低寄生ソースインダクタンス (∼1nH) を内蔵

MSL1 準拠、鉛フリー、外観検査容易な溝付きリード採用

熱性能の向上が可能

RthC7 Goldテクノロジーの改善とスイッチング速度の向上による高効率化

高さ制限のあるTOパッケージの置き換えや、熱やR DS(on)の要件によるSMDパッケージの並列化により、小さなフットプリントで低R DS(on)による電力密度の向上が可能

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