Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 650 V, 52 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT60R045CFD7XTMA1

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RS品番:
273-2797
メーカー型番:
IPT60R045CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

79nC

最大許容損失Pd

272W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、600 VのCoolMOS CFD7パワートランジスタです。CoolMOSは、スーパージャンクション原理に基づいて設計され、Infineon Technologiesが開発した革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。最新のCoolMOS CFD7は、CoolMOS CFD2シリーズの後継製品で、フェーズシフトフルブリッジやLLCなどのターゲットソフトスイッチング用途向けに最適化されたプラットフォームです。ゲート充電の削減、クラス最高の逆回復充電、及びオフ動作の改善により、CoolMOSCFD7は共振トポロジで最高の効率を発揮します。

RoHS準拠

低ゲート充電

超高速ボディダイオード

強化された電力密度ソリューション

優れたハード切り替え頑丈性

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