Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IPT60R028G7XTMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4938
メーカー型番:
IPT60R028G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

HSOF

シリーズ

IPT60R

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

391W

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

123nC

動作温度 Max

150°C

長さ

10.1mm

規格 / 承認

No

幅

10.58 mm

高さ

2.4mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS™ C7 Gold スーパージャンクション MOSFET シリーズ（ G7 ）は、 600 V CoolMOS™ C7 Gold テクノロジーの進歩による利点を兼ね備えています。4ピンケルビンソース機能、とTO-Leadless（ TOLL ）パッケージの優れた熱特性により、最大 3 kW の力率補正（ PFC ）やハイエンドLLCの共振回路など、大電流ハードスイッチングトポロジに対する SMD ソリューションが可能になります。

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