Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 130 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, IPB065N15N3GATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,330.00

(税抜)

￥1,463.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,556 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48￥665.00￥1,330
50 - 478￥601.00￥1,202
480 - 638￥537.00￥1,074
640 - 798￥472.50￥945
800 +￥408.00￥816

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
906-4283
メーカー型番:
IPB065N15N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

130A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

70nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

高さ

9.45mm

規格 / 承認

No

幅

4.57 mm

長さ

10.31mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ