Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -85 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-252, IPD85P04P407ATMA2

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梱包形態
RS品番:
258-3867
メーカー型番:
IPD85P04P407ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-85A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

69nC

最大許容損失Pd

88W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, DIN IEC 68-1

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

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