Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 83 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージHDSOP
- RS品番:
- 220-7417
- メーカー型番:
- IPDD60R080G7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 3400 - 15300 | ¥419.006 | ¥712,310 |
| 17000 - 23800 | ¥414.66 | ¥704,922 |
| 25500 - 32300 | ¥410.321 | ¥697,546 |
| 34000 + | ¥405.974 | ¥690,156 |
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- RS品番:
- 220-7417
- メーカー型番:
- IPDD60R080G7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 83A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | HDSOP | |
| シリーズ | C7 GOLD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 10 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 42nC | |
| 最大許容損失Pd | 174W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 幅 | 2.35 mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 21.11mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 83A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 HDSOP | ||
シリーズ C7 GOLD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 10 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 42nC | ||
最大許容損失Pd 174W | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
幅 2.35 mm | ||
長さ 6.6mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 21.11mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon technologiesは、高電力SMPSアプリケーション(PC電源、太陽光発電、サーバーおよび通信システム)に対応した初めての上面冷却型表面実装デバイス(SMD)である Double DPAK ( DDPAK )を発表しました。既存の高電圧技術600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFETの利点と革新的な上面冷却コンセプトを組み合わせることにより、PFCなどの高電流ハードスイッチング用システムソリューションやLLCトポロジ用のハイエンド効率ソリューションを提供します。
Infineon technologiesは、高電力SMPSアプリケーション(PC電源、太陽光発電、サーバーおよび通信システム)に対応した初めての上面冷却型表面実装デバイス(SMD)である Double DPAK ( DDPAK )を発表しました。既存の高電圧技術600 V Cool MOS G7 super junction (SJ) MOSFETの利点と革新的な上面冷却コンセプトを組み合わせることにより、PFCなどの高電流ハードスイッチング用システムソリューションやLLCトポロジ用のハイエンド効率ソリューションを提供します。
最高クラスのFOM RDS(on) x EossとRDS(on) x Qgを提供
革新的な上面冷却コンセプト
4ピンの分離されたケルビンソース接続と低寄生インダクタンス
の TCOB 機能 >>2,000 サイクル、 MSL1 準拠、鉛未使用
最高レベルのエネルギー効率を実現
基板と半導体の熱分離により、PCB材料の熱限界を克服
寄生ソースインダクタンスを低減し、効率が向上します 使いやすい
高電力密度ソリューションを実現
最高レベルの品質基準を満たす
最高クラスのFOM RDS(on) x EossとRDS(on) x Qgを提供
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4ピンの分離されたケルビンソース接続と低寄生インダクタンス
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最高レベルのエネルギー効率を実現
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寄生ソースインダクタンスを低減し、効率が向上します 使いやすい
高電力密度ソリューションを実現
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