Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 207 A N, 表面 パッケージHDSOP

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール750個入り) 小計：*

￥548,595.00

(税抜)

￥603,457.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 750 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
750 - 750￥731.46￥548,595
1500 - 6750￥717.453￥538,090
7500 - 10500￥703.435￥527,576
11250 - 14250￥689.419￥517,064
15000 +￥675.401￥506,551

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
260-1201
メーカー型番:
IPDQ60R040S7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

207A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

HDSOP

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

272W

順方向電圧 Vf

0.82V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

83nC

動作温度 Max

150°C

高さ

2.35mm

長さ

15.1mm

規格 / 承認

RoHS

幅

15.5 mm

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、低周波スイッチング用途に最適な価格パフォーマンスを実現します。CoolMOS S7は、HV SJ MOSFETのRdson値が最も低く、エネルギー効率が優れています。CoolMOS S7は、「静的スイッチング」及び高電流用途向けに最適化されています。ソリッドステートリレーや回路ブレーカ設計、SMPSやインバータトポロジのライン整流に最適です。

高パルス電流容量

システムパフォーマンスの向上

よりコンパクトで簡単な設計

長寿命でBOM及び/又はTCOを低減

耐衝撃性及び耐振性

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ