Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 650 V, 6.8 A, 1 Ω, 13 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251

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梱包形態
RS品番:
220-7439
メーカー型番:
IPS60R1K0CEAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

6.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-251

シリーズ

CoolMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

最大許容損失Pd

61W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

6.22mm

長さ

6.73mm

幅

2.4mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS CE はハードスイッチングとソフトスイッチングアプリケーションに適しており、最新のスーパージャンクションとして、低い伝導損失とスイッチング損失を実現し、効率を向上させ、最終的に消費電力を削減することができます。600V、650V、700VのCoolMOS CEはR DS(on)とパッケージを組み合わせ、携帯電話やタブレットの低電力充電器に最適です。

R DS(on)の標準値と最大値の間のマージンが小さい

出力容量に蓄積されるエネルギーの低減 (Eoss)

優れたボディダイオードの耐久性と逆回復電荷（Q rr）の低減

内蔵ゲート抵抗（Rg）の最適化

低導通損失

低スイッチング損失

ハードスイッチングとソフトスイッチングに最適

スイッチング動作の制御が容易

効率向上と消費電力の低減

設計の手間を軽減

取り扱いが簡単

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