Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 700 V, 9.4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251

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RS品番:
220-7442
メーカー型番:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-251

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.8nC

最大許容損失Pd

25W

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

高さ

6.1mm

長さ

6.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 700V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、現在と特に将来のフライバックトポロジの動向に合わせて開発されました。携帯電話の充電器やノートPCのアダプタなどの低電力SMPS市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べ、基本的な性能向上を実現しています。700V Cool MOS P7は、お客様の声と20年以上のスーパージャンクションMOSFETの経験を組み合わせることで、ターゲットアプリケーションに最適な特性を実現します。

超低 FOM R DS （ on ） x E oss; Qg、Ciss、Cossの低減

高性能化テクノロジー

低スイッチング損失(Eoss)

高効率

優れた温度特性

高速スイッチングが可能

保護用ツェナーダイオードを内蔵

最適化された3VのV(GS)th、±0.5Vの小さい公差

細かく設定されたポートフォリオ

コスト競争力のあるテクノロジー

C6 テクノロジーと比較して、2.4 %の効率向上と12Kのデバイス温度低減を実現

高いスイッチング速度でのさらなる効率向上

磁性体部品の小型化により部品コスト削減

HBMクラス2レベルまでの高いESD耐性

運転しやすくデザインインが容易

小型フォームファクタと高電力密度設計を実現

最も適した製品を選ぶための優れた選択

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