Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 700 V, 9.4 A, 1.2 Ω, 4.8 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251
- RS品番:
- 220-7442
- メーカー型番:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7442
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- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-251 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 最大許容損失Pd | 25W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.38mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 高さ | 6.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-251 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.8nC | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
最大許容損失Pd 25W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.38mm | ||
長さ 6.6mm | ||
高さ 6.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 700V CoolMOS P7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、現在と特に将来のフライバックトポロジの動向に合わせて開発されました。携帯電話の充電器やノートPCのアダプタなどの低電力SMPS市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べ、基本的な性能向上を実現しています。700V Cool MOS P7は、お客様の声と20年以上のスーパージャンクションMOSFETの経験を組み合わせることで、ターゲットアプリケーションに最適な特性を実現します。
超低 FOM R DS （ on ） x E oss; Qg、Ciss、Cossの低減
高性能化テクノロジー
低スイッチング損失(Eoss)
高効率
優れた温度特性
高速スイッチングが可能
保護用ツェナーダイオードを内蔵
最適化された3VのV(GS)th、±0.5Vの小さい公差
細かく設定されたポートフォリオ
コスト競争力のあるテクノロジー
C6 テクノロジーと比較して、2.4 %の効率向上と12Kのデバイス温度低減を実現
高いスイッチング速度でのさらなる効率向上
磁性体部品の小型化により部品コスト削減
HBMクラス2レベルまでの高いESD耐性
運転しやすくデザインインが容易
小型フォームファクタと高電力密度設計を実現
最も適した製品を選ぶための優れた選択
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