Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 75 V, 62 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 220-7469
- メーカー型番:
- IRF3007STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7469
- メーカー型番:
- IRF3007STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 62A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 120W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 89nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 62A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 120W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 89nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS N チャンネルパワー MOSFET は、効率、電力密度、コスト効果を高めるために開発されました。高性能アプリケーション向けに設計され、高いスイッチング周波数に最適化されたOptiMOS製品は、業界最高水準の性能を発揮します。OptiMOS パワーMOSFET ポートフォリオは、Strong IRFETによって補完されており、強力な組み合わせを生み出しています。Strong IRFET MOSFETの堅牢で優れた価格性能と、OptiMOS MOSFETのクラス最高の技術の完璧なマッチングのメリットを享受することができます。どちらの製品ファミリも、最高の品質基準と性能要求に応えています。12V→300VまでMOSFETをカバーする共同ポートフォリオは、SMPS、バッテリー駆動アプリケーション、モーター制御・駆動、インバーター、コンピューティングなど低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応することができます。
ワイドSOAを実現するプレーナーセル構造
幅広い販売パートナーから入手できるように最適化
JEDEC 規格に準拠した製品認定
100kHz以下のスイッチングアプリケーションに最適化されたシリコン <
業界標準の表面実装パワーパッケージ
大電流対応パッケージ（最大195A、ダイサイズに依存）
ウェーブソルダリング可能
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