Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
222-4615
メーカー型番:
AUIRFR9024NTRL
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19nC

順方向電圧 Vf

-1.6V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

38W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

6.73 mm

長さ

6.22mm

高さ

2.39mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。このほか、175℃のジャンクション温度、高速スイッチング速度、改良された反復アバランシェ定格などの特徴を持っています。これらの特徴を組み合わせることで、車載用をはじめとするさまざまな用途で使用できる、非常に効率的で信頼性の高いデバイスとして設計されています。

高度なプロセス技術

超低オン抵抗、高速スイッチング

鉛未使用、RoHS準拠

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