Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 60 A, 9.8 mΩ, 22 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 222-4622P
- メーカー型番:
- BSC098N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4622P
- メーカー型番:
- BSC098N10NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS-TM5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.1mm | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 長さ | 5.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS-TM5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.1mm | ||
高さ 1.2mm | ||
長さ 5.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS-TM5シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100V、最大連続ドレイン電流60A - BSC098N10NS5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい温度範囲での表面実装電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。高い連続電流に対応し、産業用途の極端な温度条件下で効率的な伝導と高速スイッチングを必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 100 V定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 60Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理が可能
• 9.8 mΩの低RDSにより、導通損失を低減
• 69 Wの消費電力により、大きな熱負荷をサポート
• 22 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチングを実現
• 20 Vゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 60Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理が可能
• 9.8 mΩの低RDSにより、導通損失を低減
• 69 Wの消費電力により、大きな熱負荷をサポート
• 22 nC標準ゲート充電により、応答性の高いスイッチングを実現
• 20 Vゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電圧DC-DCコンバータステージに最適
• パワーエレクトロニクスのモータードライブ電流段に最適
• 同期バックレギュレータと併用し、効率を向上
• サーバー電源レールの高電流スイッチングに使用可能
• バッテリー管理および電力配分モジュールに最適
• パワーエレクトロニクスのモータードライブ電流段に最適
• 同期バックレギュレータと併用し、効率を向上
• サーバー電源レールの高電流スイッチングに使用可能
• バッテリー管理および電力配分モジュールに最適
どのようなパッケージを使用し、基板アセンブリにどのような影響を与えますか?
8ピンTDSON表面実装パッケージで提供され、コンパクトな基板レイアウト用の自動ピックアンドプレースおよびはんだ付けを簡素化します。
どのような極端な熱状態で動作できますか?
このデバイスは、-55°C～150°Cの周囲またはジャンクション動作シナリオで動作するように設計されています。
チャンネル構成は制御にどのように影響しますか?
Nタイプ強化チャンネルの導通には、正のゲート-ソース間電圧が必要で、スイッチング用途向けの簡単なゲートドライブ設計が可能です。
適用する最大ゲート電圧は?
ゲート-ソース間電圧は、ゲート絶縁とデバイスの完全性を損なうことを避けるため、20 Vを超えてはなりません。
パッケージサイズは、密集した設計にどのように対応しますか?
5.35 x 6.1 x 1.2 mmのコンパクトなフットプリントにより、電力処理機能を維持しながら高密度レイアウトを実現します。