Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 60 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD30N06S4L23ATMA2

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梱包形態
RS品番:
220-7404
メーカー型番:
IPD30N06S4L23ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.1nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

36W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon は、新しいOptiMOS技術を使用した55V～60VのNチャネル車載用パワーMOSFETを、さまざまなパッケージと1.5mΩから160mΩまでのRDS（on）で提供します。 新しい60V車載用MOSFETは、OptiMOS5技術により、優れた電力と性能を発揮します。OptiMOS 5 は、ドライブや電力変換用途向けに最適化された低導電損失を実現します。小型のリードレスパッケージSSO8（5x6mm2）、S3O8（3x3mm2）により、 DPAK の面積と比べて 50 % 以上の省スペースを実現します。

N チャンネル - 拡張モード

AEC Q101 認定

MSL1 最大260°C のピークリフロー

動作温度： 175 ° C

環境に優しい製品（RoHS対応）

100%アバランシェ試験済み

世界最低の RDS @ 60 V （ on ）

高電流に対応

スイッチングと導電電力の損失を最小限に抑えて高い熱効率を実現

品質と信頼性に優れた堅牢なパッケージ

総ゲート電荷量の最適化により、ドライバ出力段の小型化を実現

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