Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1700 V, 5.2 A, 1 Ω, 7ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
222-4847
メーカー型番:
IMBF170R1K0M1XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1700V

シリーズ

IMBF1

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC™ 1700 V、1000 mΩ SiC MOSFETは、TO-263-7高沿面パッケージに収められ、フライバックトポロジー用に最適化されており、多くの電源アプリケーションにおいてDCリンク電圧600 V→1000 Vに接続される補助電源に使用されます。

フライバックトポロジーに最適化

低いスイッチング損失

フライバックコントローラと互換性のある12V/0Vのゲート-ソース電圧

EMIを最適化するためにdV/dtを完全に制御可能

沿面距離とクリアランスを拡大したSMDパッケージ、7 mm>

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