Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.7 kV, 5.2 A, 1 Ω, 7ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
222-4849
メーカー型番:
IMBF170R1K0M1XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.7kV

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IMBF1

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IMBF1シリーズMOSFET、1700Vドレインソース電圧、68W消費電力 - IMBF170R1K0M1XTMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリの電力を制御および切り替えるために設計された高電圧半導体デバイスです。Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタとして動作し、ドレインとソースの間で制御された伝導を実現し、幅広い温度範囲の電力管理用途に対応します。

特長:


• 1700V定格により、高電圧回路での動作が可能
• 5.2Aの連続電流により、適度な負荷電流をサポート
• 最大許容電力 68W により、継続的な熱負荷に対応
• 1Ωのドレイン・ソース抵抗により、導通損失を制限
• 23Vのゲート許容差により、ゲートドライブ電圧を大幅に抑制
• 表面実装TO-263パッケージにより、基板組立を簡素化

用途


• 産業用電源の高電圧スイッチングに最適
• 持続的な消費を必要とする電力変換段階に最適
• インバータフロントエンドと併用、高電圧に対応
• 幅広い温度範囲で堅牢な制御に使用可能
• 表面実装コンポーネントを備えたコンパクトな基板電源モジュールに最適

動作時にどの程度の高温・低温に耐えられますか?


-55°C~+175°Cで動作するように設計されています。

レイアウトプランニングのために、パッケージにはどのくらいのピンがありますか?


このデバイスは、基板フットプリントリファレンス用の7ピンパッケージで提供されます。

実装にはどのような取付方式が必要ですか?


TO-263フットプリントで表面実装を目的としています。

スイッチングにはどのようなチャンネル伝導方式を使用しますか?


エンハンスメントモードでNタイプチャンネルを採用し、制御されたスイッチングを実現します。

自動車規格に適合するように設計されていますか?


自動車規格に適合していないことが指定されています。

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