Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.7 kV, 7.4 A, 650 mΩ, 7ピン, パッケージ:TO-263
- RS品番:
- 222-4851
- メーカー型番:
- IMBF170R650M1XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計:*
¥2,064
(税抜)
¥2,270
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 396 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | ¥1,032.00 | ¥2,064 |
| 50 - 478 | ¥920.50 | ¥1,841 |
| 480 - 638 | ¥808.00 | ¥1,616 |
| 640 - 798 | ¥696.50 | ¥1,393 |
| 800 + | ¥584.50 | ¥1,169 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 222-4851
- メーカー型番:
- IMBF170R650M1XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1.7kV | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | IMBF1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 650mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 88W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1.7kV | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ IMBF1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 650mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 88W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IMBF1シリーズMOSFET、1700Vドレインソース電圧、7.4A連続ドレイン電流 - IMBF170R650M1XTMA1
このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での電源スイッチング用途向けの高電圧Nチャンネル強化デバイスです。TO-263表面実装パッケージで提供され、広い温度範囲で動作しながら高電圧と中程度の連続電流に対応するように設計されています。
特長:
• 高電圧スイッチング用途向けのドレイン-ソース間定格電圧 1700V
• 650 mΩ Rdsにより、低~中程度の電流での導通損失を最小限に抑制
• 88Wの消費電力により、優れた熱処理能力をサポート
• 連続ドレイン電流 7.4A により、継続的な電力供給に対応
• -55°C~175°Cの動作温度により、過酷な熱環境に対応
• 23Vゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 650 mΩ Rdsにより、低~中程度の電流での導通損失を最小限に抑制
• 88Wの消費電力により、優れた熱処理能力をサポート
• 連続ドレイン電流 7.4A により、継続的な電力供給に対応
• -55°C~175°Cの動作温度により、過酷な熱環境に対応
• 23Vゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• 高温環境でのスイッチング電源に使用
• 配電におけるラインサイドスイッチングに使用可能
• 表面実装基板のヒートシンク配置に使用
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• 高温環境でのスイッチング電源に使用
• 配電におけるラインサイドスイッチングに使用可能
• 表面実装基板のヒートシンク配置に使用
このコンポーネントには、どのような取り付けスタイルが必要ですか?
適切なサーマルランドパターンを備えたプリント基板への表面実装用に設計されたTO-263パッケージで提供されます。
設計者はどのようなチャンネルタイプとモードに期待する必要がありますか?
このデバイスはNチャンネル構成を採用し、従来のゲート駆動スイッチングに対してエンハンスメントモードで動作します。
周囲温度は適合性にどのように影響しますか?
-55°C~175°Cの指定動作範囲により、過酷な寒さや高熱ストレスの環境での使用を可能にし、指定された制限を超えることなくディレーティングを実現します。
最大許容ゲート-ソース間電圧はどれくらいですか?
最大ゲートソース電圧は23 Vで、安全な動作を実現するための許容ゲートドライブ振幅を定義します。
自動車規格に準拠して設計されていますか?
自動車グレード規格に適合することは指定されておらず、自動車認定要件に適合するとは考えられません。
関連ページ
- Infineon MOSFET 1700 V 650 mΩ パッケージ:TO-263
- Infineon MOSFET 1700 V 1 Ω パッケージ:TO-263
- Infineon MOSFET 100 V 1.7 mΩ 7ピン, パッケージ:TO-263
- Infineon MOSFET 650 V 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
- Infineon MOSFET 650 V 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
- Infineon MOSFET 650 V 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
- Infineon MOSFET 650 V 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
- Infineon MOSFET 650 V 7ピン, パッケージ:PG-TO263-7
