Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1700 V, 7.4 A, 650 mΩ, 7ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 222-4850
- メーカー型番:
- IMBF170R650M1XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4850
- メーカー型番:
- IMBF170R650M1XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1700V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | IMBF1 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 650mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 88W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1700V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ IMBF1 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 650mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 88W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC™ 1700 V、650 mΩ SiC MOSFETは、TO-263-7高沿面パッケージに収められ、フライバックトポロジー用に最適化されており、多くの電源アプリケーションにおいてDCリンク電圧600 V→1000 Vに接続される補助電源に使用されます。
フライバックトポロジーに最適化
低いスイッチング損失
フライバックコントローラと互換性のある12V/0Vのゲート-ソース電圧
EMIを最適化するためにdV/dtを完全に制御可能
沿面距離とクリアランスを拡大したSMDパッケージ、7 mm>
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