Infineon MOSFET, Nチャンネル, 1.7 kV, 7.4 A, 650 mΩ, 7ピン, パッケージ:TO-263

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥490,920

(税抜)

¥540,010

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年10月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥490.92¥490,920
2000 - 9000¥478.946¥478,946
10000 - 14000¥473.176¥473,176
15000 - 19000¥467.544¥467,544
20000 +¥462.041¥462,041

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4850
メーカー型番:
IMBF170R650M1XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

7.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1.7kV

シリーズ

IMBF1

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

650mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

23V

最大許容損失Pd

88W

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IMBF1シリーズMOSFET、1700Vドレインソース電圧、7.4A連続ドレイン電流 - IMBF170R650M1XTMA1


このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での電源スイッチング用途向けの高電圧Nチャンネル強化デバイスです。TO-263表面実装パッケージで提供され、広い温度範囲で動作しながら高電圧と中程度の連続電流に対応するように設計されています。

特長:


• 高電圧スイッチング用途向けのドレイン-ソース間定格電圧 1700V
• 650 mΩ Rdsにより、低~中程度の電流での導通損失を最小限に抑制
• 88Wの消費電力により、優れた熱処理能力をサポート
• 連続ドレイン電流 7.4A により、継続的な電力供給に対応
• -55°C~175°Cの動作温度により、過酷な熱環境に対応
• 23Vゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現

用途


• 高電圧電力コンバータおよびインバータに適合
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• 高温環境でのスイッチング電源に使用
• 配電におけるラインサイドスイッチングに使用可能
• 表面実装基板のヒートシンク配置に使用

このコンポーネントには、どのような取り付けスタイルが必要ですか?


適切なサーマルランドパターンを備えたプリント基板への表面実装用に設計されたTO-263パッケージで提供されます。

設計者はどのようなチャンネルタイプとモードに期待する必要がありますか?


このデバイスはNチャンネル構成を採用し、従来のゲート駆動スイッチングに対してエンハンスメントモードで動作します。

周囲温度は適合性にどのように影響しますか?


-55°C~175°Cの指定動作範囲により、過酷な寒さや高熱ストレスの環境での使用を可能にし、指定された制限を超えることなくディレーティングを実現します。

最大許容ゲート-ソース間電圧はどれくらいですか?


最大ゲートソース電圧は23 Vで、安全な動作を実現するための許容ゲートドライブ振幅を定義します。

自動車規格に準拠して設計されていますか?


自動車グレード規格に適合することは指定されておらず、自動車認定要件に適合するとは考えられません。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。