Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 36 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R060M1HXKSA1

Infineon CoolSiC™ 1200 V、60 mΩ SiC MOSFETは、TO247-3パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。

Infineon CoolSiC™ 1200 V、60 mΩ SiC MOSFETは、TO247-3パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失

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