Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 4.7 A エンハンスメント型, 3-Pin パッケージTO-247, IMW120R350M1HXKSA1

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梱包形態
RS品番:
222-4861
メーカー型番:
IMW120R350M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

IMW1

パッケージ型式

TO-247

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolSiC™ 1200 V、350 mΩ SiC MOSFETは、TO247-3パッケージに収められ、性能と信頼性を兼ね備えるように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。IGBTやMOSFETのような従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETにはさまざまな利点があります。1200Vスイッチで見られるもっとも低いゲート電荷とデバイスの静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などです。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失

ベンチマークとなる高しきい値電圧、Vth 4 V >0Vのターンオフゲート電圧で簡単なゲート駆動が可能

広いゲート-ソース間電圧範囲

ハード整流に対する堅牢で低損失なボディダイオード

温度に依存しないターンオフ時のスイッチング損失

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