Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 31 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS™ 第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

Infineon 600 V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET は、 600 V CoolMOS ™ P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS™ 第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

ESD 耐性：≥ 2 kV （ HBM クラス 2 ）

ESD 耐性：≥ 2 kV （ HBM クラス 2 ）

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