1 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 3 A, 表面 50 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 222-4607
- メーカー型番:
- AUIRF7103QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4607
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- AUIRF7103QTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 50V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 130mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 50V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 130mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 4 mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。HEXFET パワー MOSFET は、高速スイッチング速度と堅牢な設計により、車載用をはじめとするさまざまなアプリケーションで高い効率と信頼性を実現します。
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