2 Infineon MOSFET デュアル N チャンネル MOSFET, タイプNチャンネル, 5.1 A, 表面 55 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

Infineon HEXFET ® パワー MOSFET は、デュアル SO-8 パッケージに収容されており、最新の処理技術を活かしてシリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度 175 ° C 、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 パッケージの定格 175 ° C により、熱性能が向上し、安全な動作領域とデュアル MOSFET ダイ対応が向上しているため、さまざまな電源用途に最適です。このデュアル、表面実装 SO-8 により、基板スペースが劇的に削減されます。また、テープとリールのモデルも用意されています。

先進のプロセス技術