Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPD26N06S2L35ATMA2

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梱包形態
RS品番:
223-8515
メーカー型番:
IPD26N06S2L35ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1nC

最大許容損失Pd

68W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.95V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズNチャンネルMOSFETは、DPAKパッケージです。この製品は、最大限の電流能力と、高い熱効率を実現するための極めて低いスイッチングおよび電力損失の利点があります。また、高品質で信頼性に優れた堅牢なパッケージにも対応しています。

自動車用途に適合したAEC-Q101規格に準拠

MSL1（260℃までのピークリフロー）に対応

高温環境下で動作（最大175℃）

グリーンパッケージを採用

超低オン抵抗を実現

100％アバランシュテストを実施

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