Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥171,517.50

(税抜)

￥188,670.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 10,000 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥68.607￥171,518
5000 - 22500￥67.598￥168,995
25000 - 35000￥66.59￥166,475
37500 - 47500￥65.58￥163,950
50000 +￥64.571￥161,428

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4665
メーカー型番:
IPD50N06S4L08ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

71W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

2.3mm

幅

6.22 mm

長さ

6.5mm

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定

OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET

関連ページ