Infineon MOSFET, Nチャンネル, デュアル, 60 V, 20 A, 26 mΩ, 15 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
223-8521
メーカー型番:
IPG20N06S4L26AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

33W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

長さ

5.15mm

高さ

1mm

幅

5.9mm

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流20A - IPG20N06S4L26AATMA1


このMOSFETは、過酷な環境での電源スイッチングと制御用に設計されたデュアルNチャンネル表面実装トランジスタです。低い伝導損失と低いゲートドライブ要件を組み合わせて、温度耐性とコンパクトなパッケージが重要な自動車および産業システムの高電流用途に対応します。

特長:


• 60V ドレイン定格により、中電圧スイッチング用途を実現
• 20 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 26mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 15nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブエネルギーを最小限に抑制
• 33Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 最大16Vのゲート・ソース保護によりゲートの完全性を維持

用途


• AEC-Q101認定を必要とする車載用電力段階に最適
• 車両システムのDC-DCコンバータに使用
• コンパクトボードのモータドライブハーフブリッジ回路に最適
• 産業用制御における高電流負荷スイッチングに使用可能
• 高い動作温度に対応する熱管理設計に使用

コンパクトプリント基板実装には、どのようなパッケージタイプが使用されていますか?


表面実装に適した8ピンTDSONパッケージで提供されます。

高い周囲温度に対してどのくらい対応しますか?


このデバイスは、最大175°Cの動作温度で動作する定格です。

ゲート電極にはどのような保護制限がありますか?


ゲートエクスクロージャは、最大16 Vのゲートソース電圧によって制限されます。

チップあたりのトランジスタ素子数はどれくらいですか?


デュアル構成では、チップあたり2つの要素があります。

どのような環境規格や材料規格に適合していますか?


このコンポーネントは、制限物質に準拠したRoHS認証を取得しています。

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