2 Infineon MOSFETアレイ デュアル, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTDSON
- RS品番:
- 223-8521
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 223-8521
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFETアレイ | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16 V | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 5.15mm | |
| 幅 | 5.9 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFETアレイ | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16 V | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 5.15mm | ||
幅 5.9 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSシリーズのデュアルNチャンネルMOSFETは、ドレイン-ソース電圧が60Vです。この製品は、ワイヤボンディングに対応した大型ソースリードフレーム接続と、最大20Aの電流に対応する200umのボンドワイヤという特長があります。
自動車用途に適合したAEC-Q101規格に準拠
MSL1（260℃までのピークリフロー）に対応
高温環境下で動作（最大175℃）
グリーンパッケージを採用
超低オン抵抗を実現
100％アバランシュテストを実施
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