Infineon MOSFET, Nチャンネル, デュアル, 60 V, 20 A, 26 mΩ, 15 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 223-8523
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 223-8523
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 5.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1mm | ||
長さ 5.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 5.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流20A - IPG20N06S4L26AATMA1
このMOSFETは、過酷な環境での電源スイッチングと制御用に設計されたデュアルNチャンネル表面実装トランジスタです。低い伝導損失と低いゲートドライブ要件を組み合わせて、温度耐性とコンパクトなパッケージが重要な自動車および産業システムの高電流用途に対応します。
特長：
• 60V ドレイン定格により、中電圧スイッチング用途を実現
• 20 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 26mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 15nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブエネルギーを最小限に抑制
• 33Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 最大16Vのゲート・ソース保護によりゲートの完全性を維持
• 20 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 26mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 15nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブエネルギーを最小限に抑制
• 33Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現
• 最大16Vのゲート・ソース保護によりゲートの完全性を維持
用途
• AEC-Q101認定を必要とする車載用電力段階に最適
• 車両システムのDC-DCコンバータに使用
• コンパクトボードのモータドライブハーフブリッジ回路に最適
• 産業用制御における高電流負荷スイッチングに使用可能
• 高い動作温度に対応する熱管理設計に使用
• 車両システムのDC-DCコンバータに使用
• コンパクトボードのモータドライブハーフブリッジ回路に最適
• 産業用制御における高電流負荷スイッチングに使用可能
• 高い動作温度に対応する熱管理設計に使用
コンパクトプリント基板実装には、どのようなパッケージタイプが使用されていますか?
表面実装に適した8ピンTDSONパッケージで提供されます。
高い周囲温度に対してどのくらい対応しますか?
このデバイスは、最大175°Cの動作温度で動作する定格です。
ゲート電極にはどのような保護制限がありますか?
ゲートエクスクロージャは、最大16 Vのゲートソース電圧によって制限されます。
チップあたりのトランジスタ素子数はどれくらいですか?
デュアル構成では、チップあたり2つの要素があります。
どのような環境規格や材料規格に適合していますか?
このコンポーネントは、制限物質に準拠したRoHS認証を取得しています。
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