Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 mA, 600 Ω, 0.65 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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RS品番:
225-0558
メーカー型番:
BSS127IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

BSS127I

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

0.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.65nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

幅

3.7mm

規格 / 承認

No

高さ

1.8mm

長さ

6.7mm

自動車規格

なし

Infineon BSS127IシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流21mA - BSS127IXTSA1


このMOSFETは、幅広い環境範囲の表面実装用途で一般的なスイッチング用に設計されたコンパクトなNチャンネル強化デバイスです。低電流容量の高電圧トランジスタと基板レベル統合用の標準3ピンSOT-23パッケージを必要とする回路向けに設計されています。

特長:


• 600Vのドレイン許容差により、高電圧スイッチング機能を実現
• 0.5Wの消費電力により、狭い設計での熱負荷を制限
• 21mAの連続ドレイン電流により、低電流信号スイッチングに最適
• 0.65nCのゲート充電により、低ドライブで高速ゲートトランジションをサポート
• 600Ωのドレイン・ソース抵抗により、予測可能なオフ状態漏洩を実現
• 20Vゲート定格により、一般的なロジックレベルドライバとのインターフェースが可能

用途


• 制御回路の高電圧信号スイッチングに最適
• リレーやソレノイドの低電流電力ステアリングに最適
• 低ゲート電荷が損失を低減するロジックドライバーと併用
• 基板実装のレベルシフトおよび保護回路に使用可能
• 小型パッケージを必要とするコンパクトな表面実装モジュールに最適

産業環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~150°Cで確実に動作します。

このデバイスのダイオード関連特性は、設計にどのような影響を与えますか?


順方向伝導しきい値は1.2Vで、回路におけるダイオード伝導に関する考慮事項を示します。

設計者はどのような取り付けとピン数に注意すべきでしょうか?


SOT-23表面実装アウトラインで提供され、3ピンを備えており、プリント基板を簡単に配置できます。

トランジスタのパッケージサイズは、レイアウト密度にどのように影響しますか?


このパッケージの寸法は6.7 x 3.7 x 1.8 mmで、熱制限を維持しながらコンパクトな配置が可能です。

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