Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, BSS127IXTSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋100個入り) 小計：*

￥1,530.00

(税抜)

￥1,683.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,400 は 2026年3月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
100 - 600￥15.30￥1,530
700 - 1300￥13.71￥1,371
1400 - 1800￥12.41￥1,241
1900 - 2400￥11.22￥1,122
2500 +￥9.94￥994

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
225-0559
メーカー型番:
BSS127IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

BSS127I

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

0.5W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.65nC

動作温度 Max

150°C

幅

3.7mm

規格 / 承認

No

長さ

6.7mm

高さ

1.8mm

自動車規格

なし

Infineon BSS127Iは、小信号・小電力のN-およびPチャネルMOSFETであり、広範囲のVGS(th)レベルとRDS(on)値、および複数の電圧クラスを提供します。このMOSFETにはエンハンスメントモードとデプレーションモードのオプションがあります。

PCBスペースの節約とコスト削減

ゲートドライブの柔軟性

設計の複雑さを軽減

環境に優しい

高い総合効率

関連ページ