Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 mA, 700 Ω, 1.4 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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梱包形態
RS品番:
236-4398
メーカー型番:
BSS126IXTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

21mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

SIPMOS®

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

700Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.4nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

0.5W

動作温度 Max

150°C

幅

1.4mm

規格 / 承認

No

長さ

3mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon SIPMOS®シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大消費電力0.5W - BSS126IXTSA1


このMOSFETは、コンパクトフットプリントで高電圧スイッチングを必要とする表面実装電子機器向けに設計された小信号Nチャンネルデプレッションモードトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、デプレッションモードデバイスを使用して通常オン動作と簡素化されたゲート制御を実現する低電流用途向けです。

特長:


• 最大ドレイン・ソース間電圧 600 V により、高電圧スイッチングを実現
• 最大連続ドレイン電流21 mAで低電力回路をサポート
• 最大ドレイン・ソース抵抗700Ωでオン状態の伝導を制限
• 順方向電圧1.2 Vにより、駆動経路での電圧降下を低減
• 標準ゲート電荷1.4 nCにより、低ゲートドライブエネルギーを実現
• 最大消費電力 0.5W により、低消費電力用途に最適

用途


• アナログ設計の高電圧バイアスネットワークに最適
• 低電流保護回路およびブリーダー抵抗器に最適
• デプレッションモード動作を必要とする小信号ドライバーと併用
• センサーフロントエンドの電流ステアリングに使用可能
• コンバーターのコンパクトな電力管理サブ回路に最適

どのようなゲート電圧範囲を安全に適用できますか?


通常動作では、最大20 Vのゲートソース間電位が許容されます。

このデバイスは使用中にどのような温度範囲に対応しますか?


さまざまな環境で -55°C~150°C の温度範囲で動作します。

このコンポーネントは、プリント基板組立用にどのようにパッケージされていますか?


自動実装に適したSOT-23表面実装パッケージで提供されます。

プリント基板のフットプリントには、どのような機械的エンベロープを許容する必要がありますか?


このパッケージの長さは約3 mm、幅は1.4 mm、高さは約1.1 mmで、ランドパターン設計に適しています。

このデバイスは自動車グレードの分類に適合していますか?


自動車規格のコンポーネントとして指定されていないため、これらの基準を満たすとは考えないでください。

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